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RTP快速退火爐的技術指標
日期：2025-10-28 07:50
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摘要：
RTP快速退火爐可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料，離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐，快速熱處理設備（RTP）具有快速升降溫、慢速升降溫、和長工作時間穩定等特點。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。
RTP快速退火爐主要技術指標
l、外形尺寸：550×650×650mm（長×寬×高）
2、爐內體尺寸：327×249×123mm（長×寬×高）
3、工作室采用進口GE石英，外徑尺寸：290×230×24mm（長×寬×高）；表面進行磨砂處理
4、不銹鋼反應室上下反射面聚焦設計，內表面采用鍍金處理，減小熱損失，極大提高了反射效率
5、水冷卻，確保燈箱散熱與快速降溫
6、風扇冷卻保證加熱燈的冷卻
7、大溫度范圍150℃—1000℃，K型熱電偶
8、升溫速率：0.01—100℃/s可預設定
9、氣體：兩路美國進口浮子流量計控制，流量：0—5L/min
10、采用歐陸2604高精度溫控儀控制溫度
11、可編程多條溫度曲線
l2、雙閉環控制溫度，穩態溫度穩定性±1℃
l3、光源：1200W×21只鹵鎢燈
l4、電源：AC380V；63A三相
l5、有效加熱區：180×180mm
l6、石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板
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