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產品名稱：R-PECVD?真空旋轉等離子增強CVD設備
產品型號：CY-OTF-1200X-I-PEC4
產品廠商：成越科儀
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簡單介紹：

R-PECVD真空旋轉等離子增強CVD設備由旋轉及傾斜機構、單溫區管式爐、等離子發生機構、質量流量計供氣系統、高真空分子泵組部分構成。R-PECVD真空旋轉等離子增強CVD設備利用旋轉和傾斜機構實現連續生產，并且可以使顆粒型樣品表面均勻生長產物。

詳情介紹：

R-PECVD真空旋轉等離子增強CVD設備（1200℃單溫區 4路MFC）設備由旋轉及傾斜機構、單溫區管式爐、等離子發生機構、質量流量計供氣系統、高真空分子泵組等部分構成。

特點：

1. 相比于其他的石墨烯制備設備，能提供更高的基底真空，提高產物質量；
2. 能夠利用旋轉和傾斜機構實現連續生產，使顆粒型樣品表面均勻生長產物；
3. 等離子發生裝置能夠顯著降低反應溫度，提高反應效率。

技術參數：

單溫區管式爐	產品型號	CY-OTF-1200X-I-PEC4
	爐管材質	高純石英
	爐管直徑	100mm
	爐管長度	1500mm
	爐膛長度	440mm
	加熱區長	400mm
	恒溫區長	200mm
	工作溫度	0～1100℃
	控溫精度	±1℃
	控溫模式	30段或50段程序控溫
	顯示模式	高清全彩LCD觸控屏
	密封方式	304不銹鋼真空法蘭
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
RF輸出系統	功率范圍	0~500W可調
	工作頻率	13.56MHz+0.005%
	工作模式	連續輸出
	匹配阻抗模式	能夠匹配，起輝均勻布滿爐管
	功率穩定度	≤2W
	正常工作反射功率	≤3W
	放大反射功率	≤70W
	諧波分量	≤-50dBc
	整機效率	≥70%
	功率因素	≥90%
	供電電壓/頻率	單相交流（187V~153V）頻率50/60Hz
	控制模式	內控/PLC 模擬量/RS232/485通訊
	電源保護設置	DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護
	冷卻方式	強制風冷
	起輝長度	在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿爐管
供氣系統	流量計	四路質子流量計
	流量范圍	MFC1量程：0~200sccm MFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccm MFC4量程：0~500sccm 分別對應氣體H2、 CH4、 N2、 Ar.
	測量精度	±1.5%F.S
	重復精度	±0.2%FS
	線性精度	±1%F.S.
	響應時間	≤4s
	工作壓力	-0.15Mpa~0.15Mpa
	流量控制	液晶觸摸屏控制，數字顯示，每路氣體含有針閥單獨控制
	進氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
	出氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
	連接方式	雙卡套接頭
	工作溫度	5~45℃
	氣體預混	配氣體預混裝置
排氣系統	產品型號	CY-GZK103-A
	分子泵	渦輪分子泵
	前級泵	雙級旋片泵
	抽氣速率	分子泵：600L/S	綜合抽氣性能：30分鐘真空度可達：5×10E-3Pa
		旋片泵：1.1L/S
	極限真空	5×10E-4Pa
	抽氣接口	KF40
	排氣接口	KF16
	真空測量	復合真空計
旋轉及傾斜裝置	轉速范圍	0-20rpm
	傾斜角度	0-15°
	進出料	自動進料，傾斜后可自動集料