晶體生長方法

日期：2026-01-24 05:23

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摘要：單晶和多晶單晶體：整塊晶體由一顆晶粒組成，或是能用一個空間點陣圖形貫穿整個晶體。單晶體是原子排列規律相同，晶格位相一致的晶體。例如：單晶硅。多晶體：整塊晶體由大量晶粒組成，或是不能用一個空間點陣圖形貫穿整個晶體。多晶體是由很多排列方式相同但位向不一致的小晶粒組成。例如：常用的金屬。多晶體在宏觀上不具有各向異性（但是組成它的每一個微小的單晶體仍具有各向異性）,它也有固定的熔點。

單晶和多晶
單晶體：整塊晶體由一顆晶粒組成，或是能用一個空間點陣圖形貫穿整個晶體。單晶體是原子排列規律相同，晶格位相一致的晶體。例如：單晶硅。
多晶體：整塊晶體由大量晶粒組成，或是不能用一個空間點陣圖形貫穿整個晶體。多晶體是由很多排列方式相同但位向不一致的小晶粒組成。例如：常用的金屬。
多晶體在宏觀上不具有各向異性（但是組成它的每一個微小的單晶體仍具有各向異性）,它也有固定的熔點

單晶硅和多晶硅
1、在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯;
2、在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。
3、在化學活性方面，兩者的差異極小，一般都用多晶硅比較多。

晶體生長的方法
晶體生長的方法有：提拉法，坩堝下降法，泡生法，焰熔法，區熔法，弧熔法

提拉法：提拉法又稱直拉法，簡稱CZ法。
提拉法原理為：
1、首先將原料在坩堝中加熱融化，調整爐內溫度場，使熔體上部處于過冷狀態；
2、然后在籽晶桿上安放一粒籽晶，讓籽晶下降至接觸熔體表面；
3、待籽晶表面稍熔后，提拉并轉動籽晶桿，熔體此時處于過冷狀態，就會結晶在籽晶上，并在提拉和旋轉過程中*終生長出圓柱狀大塊晶體

熔化 → 引晶 → 頸縮 → 放肩 → 等徑生長 → 收尾

技術難點：1.溫度場的設置和優化；2.熔體的流動和缺陷分析
優點：
1、生長過程可以觀察和測試，有利于控制生長調節
2、利用縮頸技術和上等定向籽晶可以減少缺陷
3、生長速度較快（每小時6-15mm）
4、晶體光學均一度高

泡生法
泡生法又稱凱式長晶法，簡稱KY法。
泡生法原理為：將原料加熱至熔化形成熔湯，再把籽晶接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上開始生長單晶后，晶種以極緩慢的速度拉升一段時間形成晶頸，待凝固速率穩定后，便不再拉升和旋轉，僅以控制冷卻速率的方式使單晶從上方向下逐漸凝固，*后形成單晶塊。

泡生法與提拉法區別在于：
1、不以提拉為主要長晶手段，只拉出晶體頭部頸部，其余部分靠溫度變化生長。
2、泡生法生長環境比提拉法穩定，容易生長出高質量晶體。
泡生法的優勢：整個生長過程晶體不被提出坩堝，可以控制冷卻速度，減少熱應力。
泡生法的缺點：溫度場控制要求更高，生長效率不夠高

區熔法

區熔法主要用于鍺、GaAS（砷化鎵）。豎直區熔法主要用于硅（因為硅熔體溫度高，化學性質活潑，容易受異物污染，難以找到合適的舟皿，不能用水平區熔法）
籽晶的引入和縮頸過程和提拉法類似，
為了優化熔區溫度雜質分布，晶體上下部分通常加入逆向轉動

布里奇曼法
水平布里奇曼法和豎直布里奇曼法
兩個溫區：加熱區和冷卻區
坩堝從熱區到冷區移動，由于溫度下降，熔體在籽晶的引導下凝固結晶，結晶界面隨著坩堝的移動朝著熔體方向不斷推移
布里奇曼法和坩堝接觸緊密，因此晶體生長質量受坩堝影響較大，但是水平布里奇曼法熔體開放面大，應力問題比垂直法?。坏撬讲祭锲媛ú焕谏L徑向對稱的晶體。

缺點：
需要石英舟或者其他高溫穩定材料做出的容器
舟皿壁對晶體生長有雜質污染
舟皿材料要與生長材料的熱膨脹系數一致，否則會有生長應力，產生高密度的晶格缺陷。

弧熔法

將壓結的粉末原料裝于耐火磚槽內，插入料塊中的石墨電極放電，使料塊中心部分熔化，熔體由周圍未熔化的料塊所支持，然后降低加熱功率，使晶體自發形成核并長大
優點：能生長熔點很高的氧化物晶體，生長方法簡單迅速
缺點：投料多，晶體完整性差，生長過程難以控制

焰熔法

晶體生長共性問題
籽晶和引晶工藝非常重要，籽晶有引導晶體生長的作用，如果籽晶質量不好，或者引晶過程操作不當引入缺陷，將會對后續過程產生毀滅性影響
溫度場控制，溫度越低，生長越快，但是缺陷也越多，溫度過低還可能使熔體中產生新的核產生，使籽晶失去唯壹的引導作用，不能得到完整的一塊單晶。
生長環境的波動會影響生長質量，如溫度波動，機械振動，熔體擾動，應力分布等。

晶體生長應用
提拉法：單晶硅、紅藍寶石、釔鋁榴石（YAG）釔鋁榴石硬而不脆，拋光效果好，可以磨出瑞麗的邊楞，曾用作鉆石的代用品現可用于激發激光
泡生法：藍寶石，釔鋁石榴石
區熔法：超純單晶硅
布里奇曼法：AgGaSe2（硒鎵銀）、CdZnTe（碲鋅鎘 CZT）、堿金屬鹵化物
CZT廣泛用于紅外探測器和核輻射探測器
硒鎵銀晶體可用于激光器
堿金屬鹵化物可用于電池

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豫公網安備 41019702002438號

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